Series resistance study of Schottky diodes developed on 4H-SiC wafers using a contact of titanium or molybdenum / Shili, K; Ben Karoui, M.; Gharbi, R.; Abdelkrim, M.; Fathallah, M.; Ferrero, Sergio. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - 106:(2013), pp. 43-47. [10.1016/j.mee.2013.02.043]

Series resistance study of Schottky diodes developed on 4H-SiC wafers using a contact of titanium or molybdenum

FERRERO, SERGIO
2013

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/2658367
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