PORTO @ Archivio Istituzionale della Ricerca

RicercaInizia una nuova ricerca

NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.

cerca in
Risultati 41 - 50 di 277 (tempo di esecuzione: 0.033 secondi).
Citazione Data di pubblicazione Autori File
A Novel TCAD Approach to Temperature Dependent DC FinFET Variability Analysis / Donati Guerrieri, S.; Bonani, F.; Ghione, G.. - ELETTRONICO. - (2018), pp. 230-233. (Intervento presentato al convegno 2018 European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC) tenutosi a Madrid (Spain) nel 24-25 September) [10.23919/EuMIC.2018.8539887]. 1-gen-2018 Donati Guerrieri, S.Bonani, F.Ghione, G. -
A novel, rigorous approach to the dynamic, large-signal stability analysis of semiconductor devices and circuits under electro-thermal interaction / Cappelluti, Federica; F. L., Traversa; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - (2008), pp. 1-4. (Intervento presentato al convegno International Electron Device Meeting 2008 tenutosi a San Francisco nel DECEMBER 2008) [10.1109/IEDM.2008.4796788]. 1-gen-2008 CAPPELLUTI, FedericaBONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + -
A Quasi-Monolithic Approach to Microwave Ga-As Integrated Circuits / E. M., Bastida; G. P., Donzelli; Ghione, Giovanni; C., Naldi. - STAMPA. - (1983), pp. 357-362. (Intervento presentato al convegno 13th European Microwave Conference, 1983) [10.1109/EUMA.1983.333253]. 1-gen-1983 GHIONE, GIOVANNI + -
A review on the Surface Integrated Waveguide (SIW): integrating a rectangular waveguide in a planar (M)MIC / Ghione, Giovanni. - STAMPA. - (2015). (Intervento presentato al convegno Conference on Substrate Integrated Waveguides and related technology tenutosi a Bari nel 15 Maggio 2015). 1-gen-2015 GHIONE, GIOVANNI SIW intro - Giovanni Ghione - authors copy.pdf
A small-signal and noise model for the physics-based design and optimization of GaAs MESFET’s for hybrid and monolithic MIC’s / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; C., Naldi; T., Sporkmann; Pirola, Marco. - (1992), pp. 27-29. (Intervento presentato al convegno European Gallium Arsenide and Related Compounds Application Symposium tenutosi a Noordwijk, The Netherlands nel April). 1-gen-1992 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + -
A spurious-solution-free envelope function model for quantum-confined wurtzite nanostructures / Zhou, Xiangyu; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Ghione, Giovanni. - STAMPA. - (2014), pp. 27-28. (Intervento presentato al convegno 14th international conference on numerical simulation of optoelectronic devices (NUSOD 2014) tenutosi a Palma de Mallorca nel 1/9/2014) [10.1109/NUSOD.2014.6935339]. 1-gen-2014 ZHOU, XIANGYUBERTAZZI, FRANCESCOGOANO, MICHELEGHIONE, GIOVANNI -
A two-carrier Impedance Field Method for the multi-dimensional numerical simulation of noise in electron devices / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Pinto, M. R.; Smith, R. K.. - (1995), pp. 38-41. (Intervento presentato al convegno International Seminar on Simulation of Devices and Technologies tenutosi a Berg en Dal, South Africa nel 15-17 November). 1-gen-1995 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + -
A two-dimensional approach to the noise simulation of GaAs MESFETs / Ghione, Giovanni. - (1990), pp. 225-228. (Intervento presentato al convegno Solid State Device Research Conference, 1990. ESSDERC '90. 20th European nel 1990-sept.). 1-gen-1990 GHIONE, GIOVANNI -
A unified, CAD-orientedapproach for the physics-based large-signal conversion and noise modelling of microwave and mm-wave semiconductor devices / Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - (1998), pp. 341-344. (Intervento presentato al convegno 6th Gallium Arsenide and Related III-V Compunds Applications Symposium tenutosi a Amsterdam, The Netherlands nel 5-9 October). 1-gen-1998 BONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco -
Ab initio electron-phonon interactions for high-field transport simulation in ZnO / Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Ghione, Giovanni; Enrico, Bellotti. - (2007). (Intervento presentato al convegno Riunione Annuale del Gruppo Elettronica tenutosi a Genova, Italy nel 2007). 1-gen-2007 BERTAZZI, FRANCESCOGOANO, MICHELEGHIONE, GIOVANNI + -
Risultati 41 - 50 di 277 (tempo di esecuzione: 0.033 secondi).
↑ Back to top
Legenda icone

  •  file ad accesso aperto
  •  file disponibili sulla rete interna
  •  file disponibili agli utenti autorizzati
  •  file disponibili solo agli amministratori
  •  file sotto embargo
  •  nessun file disponibile

Aggiungere filtri:  
Aggiungi
Opzioni
Scopri
Tipologia
  • 4 Contributo in Atti di Convegno ... 277
  • 4 Contributo in Atti di Convegno ... 277
Autore
  • BONANI, FABRIZIO 122
  • DONATI GUERRIERI, SIMONA 100
  • PIROLA, Marco 100
  • BERTAZZI, FRANCESCO 55
  • CAPPELLUTI, FEDERICA 51
  • GOANO, MICHELE 51
  • CAMARCHIA, VITTORIO 49
  • VALLONE, MARCO ERNESTO 26
  • QUAGLIA, ROBERTO 20
  • TIBALDI, ALBERTO 19
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 22
  • 2010 - 2019 66
  • 2000 - 2009 115
  • 1990 - 1999 62
  • 1982 - 1989 12
Editore
  • IEEE 48
  • IEEE - INST ELECTRICAL ELECTRONIC... 11
  • IEEE / Institute of Electrical an... 6
  • Institute of Electrical and Elect... 6
  • SPIE 6
  • IEEE / Institute of Electrical an... 3
  • World Scientific 3
  • Aracne Editore 2
  • IEEE Computer Society 2
  • Society for Nanomolecular Photovo... 2
Rivista
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 3
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 1
Serie
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 2
  • IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAV... 1
  • LECTURE NOTES IN ELECTRICAL ENGIN... 1
  • MATERIALS SCIENCE FORUM 1
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Keyword
  • Electrical and Electronic Enginee... 9
  • Device variability 6
  • Photodetectors 6
  • FinFET 5
  • GaAs 5
  • GaN 5
  • microwave amplifiers 5
  • power amplifiers 5
  • Variability 5
  • X parameters 4
Lingua
  • eng 192
  • ita 19
Accesso al fulltext
  • no fulltext 224
  • open 27
  • partially open 24
  • reserved 2