Archivio Istituzionale della RicercaElectroluminescence Analysis and Simulation of the Effects of Injection and Temperature on Carrier Distribution in InGaN-Based Light-Emitting Diodes with Color-Coded Quantum Wells / Meneghini, M.; Vaccari, S.; Garbujo, A.; Trivellin, N.; Zhu, D.; Humphreys, C. J.; Calciati, Marco; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Bellotti, E.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.. - In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 1347-4065. - 52:8(2013), pp. 08JG09-1-08JG09-5. [10.7567/JJAP.52.08JG09]
Electroluminescence Analysis and Simulation of the Effects of Injection and Temperature on Carrier Distribution in InGaN-Based Light-Emitting Diodes with Color-Coded Quantum Wells
CALCIATI, MARCO;GOANO, MICHELE;BERTAZZI, FRANCESCO;GHIONE, GIOVANNI;
2013
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/11583/2507761
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo