Archivio Istituzionale della RicercaElectroluminescence Analysis and Simulation of the Effects of Injection and Temperature on Carrier Distribution in InGaN-Based Light-Emitting Diodes with Color-Coded Quantum Wells / Meneghini, M., Vaccari, S., Garbujo, A., Trivellin, N., Zhu, D., Humphreys, C.J., Calciati, M., Goano, M., Bertazzi, F., Ghione, G., Bellotti, E., Meneghesso, G., Zanoni, E.. - In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 1347-4065. - 52:8(2013), pp. 08JG09-1-08JG09-5. [10.7567/JJAP.52.08JG09]
Electroluminescence Analysis and Simulation of the Effects of Injection and Temperature on Carrier Distribution in InGaN-Based Light-Emitting Diodes with Color-Coded Quantum Wells
CALCIATI, MARCO;GOANO, MICHELE;BERTAZZI, FRANCESCO;GHIONE, GIOVANNI;
2013
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https://hdl.handle.net/11583/2507761
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