Archivio Istituzionale della RicercaElectroluminescence analysis and simulation of the effects of injection and temperature on carrier distribution in InGaN-based LEDs with color-coded quantum wells / M., Meneghini; S., Vaccari; N., Trivellin; D., Zhu; C. J., Humphreys; Calciati, Marco; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; E., Bellotti; G., Meneghesso; E., Zanoni. - (2012), p. TuP-OD-17. (Intervento presentato al convegno International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012) tenutosi a Sapporo (Japan) nel October 2012).
Electroluminescence analysis and simulation of the effects of injection and temperature on carrier distribution in InGaN-based LEDs with color-coded quantum wells
CALCIATI, MARCO;GOANO, MICHELE;BERTAZZI, FRANCESCO;GHIONE, GIOVANNI;
2012
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https://hdl.handle.net/11583/2503675
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