Archivio Istituzionale della RicercaElectroluminescence analysis and simulation of the effects of injection and temperature on carrier distribution in InGaN-based LEDs with color-coded quantum wells / M., M., S., V., N., T., D., Z., C. J., H., Calciati, M., Goano, M., Bertazzi, F., Ghione, G., E., B., G., M., E., Z.. - (2012), p. TuP-OD-17. (International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012) Sapporo (Japan) October 2012).
Electroluminescence analysis and simulation of the effects of injection and temperature on carrier distribution in InGaN-based LEDs with color-coded quantum wells
CALCIATI, MARCO;GOANO, MICHELE;BERTAZZI, FRANCESCO;GHIONE, GIOVANNI;
2012
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https://hdl.handle.net/11583/2503675
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