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EnglishThe exciton-to-free-carrier transition in GaAs and In_xGa_{1-x}As V-shaped quantum wires is revealed by means of temperature-dependent magnetoluminescence experiments. The experimental results are in excellent agreement with the diamagnetic shift obtained from a solution of the full two-dimensional Schrödinger equation for electrons and holes including magnetic-field and excitonic effects. In the GaAs wires, the exciton-to-free-carrier transition is found to occur at temperature consistent with the exciton binding energies. In the In_xGa_{1-x}As wires the diamagnetic shift of the luminescence is found to be free-carrier-like, independent of temperature, due to the weakening of the exciton binding energy induced by the internal piezoelectric field.
Thermal ionization of excitons in V-shaped quantum wires / Rinaldi R.; Giugno PV.; Cingolani R.; Rossi F.; Molinari E.; Marti U.; Reinhart FK.. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - 53:20(1996), pp. 13710-13714. [10.1103/PhysRevB.53.13710]
| Titolo: | Thermal ionization of excitons in V-shaped quantum wires | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 1996 | |
| Rivista: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.53.13710 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| Rinaldi-Rossi_PRB_53_13710_1996.pdf | 2. Post-print / Author's Accepted Manuscript | PUBBLICO - Tutti i diritti riservati | Visibile a tuttiVisualizza/Apri |
http://hdl.handle.net/11583/2498579
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