MOS Power Transistor Model for Electromagnetic Susceptibility Analysis / Bona, Calogero; Fiori, Franco. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 51:8(2011), pp. 1356-1364. [10.1016/j.microrel.2011.03.003]

MOS Power Transistor Model for Electromagnetic Susceptibility Analysis

BONA, CALOGERO;FIORI, Franco
2011

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/2382552
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