MOS Power Transistor Model for Electromagnetic Susceptibility Analysis / Bona C.; Fiori F.. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 51:8(2011), pp. 1356-1364. [10.1016/j.microrel.2011.03.003]
Titolo: | MOS Power Transistor Model for Electromagnetic Susceptibility Analysis | |
Autori: | ||
Data di pubblicazione: | 2011 | |
Rivista: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2011.03.003 | |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
---|---|---|---|---|
MOS power transistor model for Electromagnetic Susceptibility analysis.pdf | 2. Post-print / Author's Accepted Manuscript | Non Pubblico - Accesso privato/ristretto | Administrator Richiedi una copia |
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11583/2382552
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.