Archivio Istituzionale della RicercaStructural and optoelectronic properties of a-SiC:H and a-SiN:H films for applications as wide-band gap semiconductors / Giorgis, F., G., C., G., D., F., D., F., D., Pirri, C., P., R., E., T.. - In: VUOTO. - ISSN 0391-3155. - 26:(1997), pp. 14-18.
Structural and optoelectronic properties of a-SiC:H and a-SiN:H films for applications as wide-band gap semiconductors
GIORGIS, FABRIZIO;PIRRI, Candido;
1997
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https://hdl.handle.net/11583/1661245
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