Archivio Istituzionale della RicercaStudy of gap states and photoelectrical properties of a-SiC:H films deposited by PECVD in SiH4+CH4 gas mixtures / U., C., G., A., C., C., F., D., Giorgis, F., Pirri, C., Tresso, E.M., P., R.. - In: VUOTO. - ISSN 0391-3155. - 25:(1996), pp. 38-45.
Study of gap states and photoelectrical properties of a-SiC:H films deposited by PECVD in SiH4+CH4 gas mixtures
GIORGIS, FABRIZIO;PIRRI, Candido;TRESSO, Elena Maria;
1996
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https://hdl.handle.net/11583/1661235
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