Bonding structure and defects in wide band gap a-SiC:H films deposited in H2 diluted SiH4+CH4 gas mixtures / F., Demichelis; Giorgis, Fabrizio; Pirri, Candido; Tresso, Elena Maria. - In: PHILOSOPHICAL MAGAZINE. B. PHYSICS OF CONDENSED MATTER. STRUCTURAL, ELECTRONIC, OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES. - ISSN 0958-6644. - 71:(1995), pp. 1015-1021.
Bonding structure and defects in wide band gap a-SiC:H films deposited in H2 diluted SiH4+CH4 gas mixtures
GIORGIS, FABRIZIO;PIRRI, Candido;TRESSO, Elena Maria
1995
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/11583/1661217
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo