Hydrogenated amorphous silicon-nitrogen alloys, a-SiN:H, a wide band gap material for optoelectronic devices / F., Demichelis; G., Crovini; Giorgis, Fabrizio; Pirri, Candido; Tresso, Elena Maria. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 79:(1996), p. 1730.

Hydrogenated amorphous silicon-nitrogen alloys, a-SiN:H, a wide band gap material for optoelectronic devices

GIORGIS, FABRIZIO;PIRRI, Candido;TRESSO, Elena Maria
1996

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