Archivio Istituzionale della RicercaHydrogenated amorphous silicon-nitrogen alloys, a-SiN:H, a wide band gap material for optoelectronic devices / F., D., G., C., Giorgis, F., Pirri, C., Tresso, E.M.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 79:(1996), p. 1730.
Hydrogenated amorphous silicon-nitrogen alloys, a-SiN:H, a wide band gap material for optoelectronic devices
GIORGIS, FABRIZIO;PIRRI, Candido;TRESSO, Elena Maria
1996
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https://hdl.handle.net/11583/1661152
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