Correlation between the optoelectronic properties and the structure of hydrogenated amorphous silicon-carbon films grown from a C2H2 source / Giorgis, Fabrizio; Pirri, Candido; Tresso, Elena Maria. - In: PHILOSOPHICAL MAGAZINE. B. PHYSICS OF CONDENSED MATTER. STATISTICAL MECHANICS, ELECTRONIC, OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES. - ISSN 1364-2812. - 75:(1997), p. 471.
Correlation between the optoelectronic properties and the structure of hydrogenated amorphous silicon-carbon films grown from a C2H2 source
GIORGIS, FABRIZIO;PIRRI, Candido;TRESSO, Elena Maria
1997
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https://hdl.handle.net/11583/1661147
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