Static and dynamic electrical study of a-SiC : H based p-i-n structure, effect of hydrogen dilution of the intrinsic layer / M., Abdelkrim; M., Loulou; R., Gharbi; M., Fathallah; Pirri, Candido; Tresso, Elena Maria. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 51:1(2007), pp. 137-141. [10.1016/j.sse.2006.11.015]

Static and dynamic electrical study of a-SiC : H based p-i-n structure, effect of hydrogen dilution of the intrinsic layer

PIRRI, Candido;TRESSO, Elena Maria
2007

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/1648568
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