Archivio Istituzionale della RicercaStatic and dynamic electrical study of a-SiC : H based p-i-n structure, effect of hydrogen dilution of the intrinsic layer / M., A., M., L., R., G., M., F., Pirri, C., Tresso, E.M.. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 51:1(2007), pp. 137-141. [10.1016/j.sse.2006.11.015]
Static and dynamic electrical study of a-SiC : H based p-i-n structure, effect of hydrogen dilution of the intrinsic layer
PIRRI, Candido;TRESSO, Elena Maria
2007
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https://hdl.handle.net/11583/1648568
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