Archivio Istituzionale della RicercaIntrinsic 4H-SiC parameters study by temperature behaviour analysis of Schttky diodes / Pirri, C., Ferrero, S., Scaltrito, L., Perrone, D., Guastella, S.A., M., F., G., R., L., M.. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - 83:(2006), pp. 82-85.
Intrinsic 4H-SiC parameters study by temperature behaviour analysis of Schttky diodes
PIRRI, Candido;FERRERO, SERGIO;SCALTRITO, LUCIANO;PERRONE, DENIS;GUASTELLA, SALVATORE ANTONIO;
2006
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https://hdl.handle.net/11583/1648557
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