PORTO @ 
Archivio Istituzionale della Ricerca
IRIS è la soluzione IT che facilita la raccolta e la gestione dei dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca. Fornisce a ricercatori, amministratori e valutatori gli strumenti per monitorare i risultati della ricerca, aumentarne la visibilità e allocare in modo efficace le risorse disponibili.
EnglishThe main intrinsic parameters in silicon carbide material are not exhaustively studied up to now. An experimental study of the behaviour of electrical parameters of Schottky barrier diodes (SBD) fabricated on the Si face of 4H-SiC epitaxial layers with respect to temperature is shown. Analysed devices present an electrical behaviour in accordance to thermoionic emission and a good metal–semiconductor interface uniformly confirmed by capacitance/voltage measurements (C–V). Current/voltage measurements (I–V) have been performed in a large temperature range and lead to an evaluation of the Richardson constant.
Intrinsic 4H-SiC parameters study by temperature behaviour analysis of Schottky diodes / C.F. PIRRI; S. FERRERO; L. SCALTRITO; PERRONE D.; S. GUASTELLA; M. FURNO; G. RICHIERI; L. MERLIN. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - 83(2006), pp. 86-88.
| Titolo: | Intrinsic 4H-SiC parameters study by temperature behaviour analysis of Schottky diodes. | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2006 | |
| Rivista: | ||
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| Intrinsic 4H-SiC parameters study by temperature.pdf | 2. Post-print / Author's Accepted Manuscript | Non Pubblico - Accesso privato/ristretto | Administrator Richiedi una copia |
http://hdl.handle.net/11583/1647140
Copyright © 2022