A nanostructured porous silicon near insulator becomes either a p- or an n-type semiconductor upon gas adsorption / Garrone, Edoardo; Geobaldo, Francesco; Rivolo, Paola; Amato, G.; Boarino, L.; Chiesa, M.; Giamello, E.; Gobetto, F.; Ugliengo, P.; Viale, A.. - In: ADVANCED MATERIALS. - ISSN 0935-9648. - 17:5(2005), pp. 528-531. [10.1002/adma.200401200]

A nanostructured porous silicon near insulator becomes either a p- or an n-type semiconductor upon gas adsorption

GARRONE, EDOARDO;GEOBALDO, FRANCESCO;RIVOLO, PAOLA;
2005

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/1400462
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