MICUCCI, DANIELE
 Distribuzione geografica
Continente #
AS - Asia 127
NA - Nord America 105
EU - Europa 44
SA - Sud America 19
Continente sconosciuto - Info sul continente non disponibili 9
AF - Africa 2
Totale 306
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 100
VN - Vietnam 33
SG - Singapore 30
RU - Federazione Russa 21
CN - Cina 18
BD - Bangladesh 14
IT - Italia 13
JP - Giappone 10
BR - Brasile 9
KR - Corea 8
AR - Argentina 6
IN - India 4
EC - Ecuador 3
IQ - Iraq 3
CA - Canada 2
ES - Italia 2
GB - Regno Unito 2
PH - Filippine 2
CH - Svizzera 1
CR - Costa Rica 1
EG - Egitto 1
FI - Finlandia 1
FR - Francia 1
HK - Hong Kong 1
ID - Indonesia 1
IE - Irlanda 1
LC - Santa Lucia 1
MN - Mongolia 1
MX - Messico 1
NL - Olanda 1
PK - Pakistan 1
PT - Portogallo 1
PY - Paraguay 1
TH - Thailandia 1
ZA - Sudafrica 1
Totale 297
Città #
Ashburn 41
Singapore 19
Ho Chi Minh City 13
San Jose 11
Dallas 9
Hanoi 7
Seoul 7
Council Bluffs 6
Matsumoto 6
Turin 5
Beijing 4
Hefei 3
New York 3
Rome 3
Santa Clara 3
Hangzhou 2
Manila 2
Orem 2
Osaka 2
Phoenix 2
Aizawl 1
Ambato 1
Anyang-si 1
Anápolis 1
Apple Valley 1
Baghdad 1
Bangkok 1
Bari 1
Bend 1
Berazategui 1
Blumenau 1
Boardman 1
Boca Toma 1
Brighton 1
Buffalo 1
Cairo 1
Camaçari 1
Capão Bonito 1
Caserta 1
Castries 1
Charlotte 1
Chennai 1
Chicago 1
Compton 1
Conselheiro Lafaiete 1
Cuyahoga Falls 1
Da Nang 1
Dhaka 1
Dublin 1
Duhok 1
Ezeiza 1
Faisalabad 1
Frisco 1
General Rodríguez 1
Genoa 1
Great Neck 1
Guayaquil 1
Haiphong 1
Helsinki 1
Hesperia 1
Hong Kong 1
Jakarta 1
Johannesburg 1
Las Vegas 1
Lauterbourg 1
Lisbon 1
Loja 1
London 1
Lấp Vò 1
Madrid 1
Matsubara 1
Miguel Hidalgo 1
Monte Grande 1
Mosul 1
Nettleton 1
Paudex 1
Philadelphia 1
Piscataway 1
Pouso Alegre 1
Quận Ba 1
Repentigny 1
Rosario 1
Salerno 1
San José 1
Santa Rita 1
Santo André 1
St Petersburg 1
Thái Nguyên 1
Tokyo 1
Ulan Bator 1
Vespasiano 1
Vinh 1
Vladimir 1
Volta Redonda 1
Wilmington 1
Yucaipa 1
Totale 226
Nome #
Influence of semiconductor thickness for the contact resistance measurement with transfer length method at the interface between bismuth telluride thermoelectric materials and metals 186
Analysis of high-temperature degradation mechanisms at the interface between bismuth telluride and metals and their effect on contact resistance increase 120
Totale 306
Categoria #
all - tutte 653
article - articoli 653
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 1.306


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2024/202521 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 13 8
2025/2026260 10 16 25 28 11 3 24 25 50 24 21 23
2026/202725 15 10 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Totale 306