DE RUVO, EDOARDO
 Distribuzione geografica
Continente #
EU - Europa 39
NA - Nord America 34
AS - Asia 9
Continente sconosciuto - Info sul continente non disponibili 7
SA - Sud America 1
Totale 90
Nazione #
IT - Italia 37
US - Stati Uniti d'America 32
BD - Bangladesh 5
SG - Singapore 2
CA - Canada 1
DE - Germania 1
FR - Francia 1
JP - Giappone 1
MY - Malesia 1
TT - Trinidad e Tobago 1
VE - Venezuela 1
Totale 83
Città #
Milan 10
Figino 6
Turin 6
Council Bluffs 5
Rome 4
San Jose 4
Ashburn 2
Santa Clara 2
Boardman 1
Catania 1
Chaguanas 1
Edmonton 1
Erfurt 1
Frisco 1
Johor Bahru 1
Los Angeles 1
Mérida 1
Naples 1
Nashville 1
Palermo 1
Paris 1
Singapore 1
Tsurumaki 1
West Valley City 1
Totale 55
Nome #
Role of Traps in Gate Leakage Current in p-gate GaN HEMTs Through TCAD Simulations 52
TCAD Simulations of Degradation Mechanism in p-GaN Gate HEMTs under Gate Stress 37
Harmonic Balance TCAD Trap Modeling of GaN HEMTs for Design Technology Co-Optimization 1
Totale 90
Categoria #
all - tutte 239
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 239
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 478


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2025/202658 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 12 46
2026/202732 9 23 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Totale 90