Archivio Istituzionale della RicercaFANCHINI, Giovanni
FANCHINI, Giovanni
Dipartimento di Fisica (attivo dal 01/01/1900 al 31/12/2011)
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| Citazione | Data di pubblicazione | Autori | File |
|---|---|---|---|
| Surface analysis and defect characterization of 4H–SiC wafers for power electronic device applications / Scaltrito, Luciano; Fanchini, Giovanni; Porro, Samuele; Cocuzza, Matteo; Giorgis, Fabrizio; Pirri, Candido; Mandracci, Pietro; Ricciardi, Carlo; Ferrero, Sergio; Sgorlon, Corrado; G., Richieri; L., Merlin. - In: DIAMOND AND RELATED MATERIALS. - ISSN 0925-9635. - 12:(2003), pp. 1224-1226. [10.1016/S0925-9635(02)00310-2] | 1-gen-2003 | SCALTRITO, LUCIANOFANCHINI, GiovanniPORRO, SAMUELECOCUZZA, MATTEOGIORGIS, FABRIZIOPIRRI, CandidoMANDRACCI, PietroRICCIARDI, CarloFERRERO, SERGIOSGORLON, CORRADO + | - |