Archivio Istituzionale della RicercaFANCHINI, Giovanni
FANCHINI, Giovanni
Dipartimento di Fisica (attivo dal 01/01/1900 al 31/12/2011)
003166
Mostra
records
Risultati 1 - 1 di 1 (tempo di esecuzione: 0.003 secondi).
| Citazione | Data di pubblicazione | Autori | File |
|---|---|---|---|
| Surface analysis and defect characterization of 4H–SiC wafers for power electronic device applications / Scaltrito, L., Fanchini, G., Porro, S., Cocuzza, M., Giorgis, F., Pirri, C., Mandracci, P., Ricciardi, C., Ferrero, S., Sgorlon, C., G., R., L., M.. - In: DIAMOND AND RELATED MATERIALS. - ISSN 0925-9635. - 12:(2003), pp. 1224-1226. [10.1016/S0925-9635(02)00310-2] | 1-gen-2003 | SCALTRITO, LUCIANOFANCHINI, GiovanniPORRO, SAMUELECOCUZZA, MATTEOGIORGIS, FABRIZIOPIRRI, CandidoMANDRACCI, PietroRICCIARDI, CarloFERRERO, SERGIOSGORLON, CORRADO + | - |