QUAGLIA, ROBERTO
QUAGLIA, ROBERTO
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
021789
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Characterization of a high power GaN device for class E PA design with non-sinusoidal stimulus
2016 Camarchia, V; Cipriani, Fabio Eugenio Giovanni; Colantonio, P; Pirola, M; Quaglia, R; Cabria, L; Ayllon, N
A double stub impedance tuner with SiC diode varactors
2011 Quaglia, R; Andersson, Cm; Fager, C; Pirola, M
Citazione | Data di pubblicazione | Autori | File |
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Characterization of a high power GaN device for class E PA design with non-sinusoidal stimulus / Camarchia, V; Cipriani, Fabio Eugenio Giovanni; Colantonio, P; Pirola, M; Quaglia, R; Cabria, L; Ayllon, N - In: Proceedings of the 11th European Microwave Integrated Circuits Conference / Camarchia, V. - 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA : IEEE, 2016. - pp. 53-56 [10.1109/EuMIC.2016.7777487] | 1-gen-2016 | Camarchia, VCIPRIANI, Fabio Eugenio GiovanniColantonio, PPirola, MQuaglia, R + | - |
A double stub impedance tuner with SiC diode varactors / Quaglia, R; Andersson, Cm; Fager, C; Pirola, M - In: APMC Proceedings 2011 / R. Quaglia, C. M. Andersson, C. Fager and M. Pirola. - ELETTRONICO. - 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA : IEEE, 2011. - pp. 267-270 | 1-gen-2011 | Quaglia, RPirola, M + | - |