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High-field diffusivity and noise spectra in GaAs MESFETs / Ghione, Giovanni; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco. - In: JOURNAL OF PHYSICS D. APPLIED PHYSICS. - ISSN 0022-3727. - 27:(1994), pp. 365-375. [10.1088/0022-3727/27/2/028] 1-gen-1994 GHIONE, GIOVANNIBONANI, FabrizioPIROLA, Marco -
An efficient approach to multi-dimensional impedance field noise simulation of bipolar devices / Bonani, Fabrizio; Pinto, M. R.; Smith, R. K.; Ghione, Giovanni. - (1995), pp. 379-382. (Intervento presentato al convegno International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f noise tenutosi a Palanga, Lithuania nel 29 May - 3 June). 1-gen-1995 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + -
A two-carrier Impedance Field Method for the multi-dimensional numerical simulation of noise in electron devices / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Pinto, M. R.; Smith, R. K.. - (1995), pp. 38-41. (Intervento presentato al convegno International Seminar on Simulation of Devices and Technologies tenutosi a Berg en Dal, South Africa nel 15-17 November). 1-gen-1995 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + -
Large scale thermal simulation of III-V devices / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco; Naldi, C.. - (1995), pp. 184-187. (Intervento presentato al convegno International Seminar on Simulation of Devices and Technologies tenutosi a Berg en Dal, South Africa nel 15-17 November). 1-gen-1995 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + -
Thermal CAD models for integrated GaAs components and circuits / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco; Naldi, C.. - (1995), pp. 37-46. (Intervento presentato al convegno 5th International Workshop on GaAs in Telecommunications tenutosi a Roma, Italy nel 27 April). 1-gen-1995 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + -
General purpose multidimensional numerical noise analysis through the Impedance Field Method / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - (1995). (Intervento presentato al convegno 2nd ELEN Workshop tenutosi a Grenoble, France nel 25-27 October). 1-gen-1995 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI -
On the application of the Kirchhoff transformation to the steady-state thermal analysis of semiconductor devices with temperature-dependent and piecewise inhomogeneous thermal conductivity / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 38:(1995), pp. 1409-1412. [10.1016/0038-1101(94)00255-E] 1-gen-1995 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI -
A novel implementation of noise analysis in general-purpose PDE-based semiconductor device simulators / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Pinto, M. R.; Smith, R. K.. - (1995), pp. 777-780. (Intervento presentato al convegno International Electron Devices Meeting tenutosi a Washington, USA nel 10-13 December). 1-gen-1995 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + -
Thermal CAD for power III-V devices and MMICs / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco; C., Naldi. - STAMPA. - 1:(1995), pp. 352-357. (Intervento presentato al convegno Microwave and Optoelectronics Conference, 1995 SBMO/IEEE MTT-S International nel 1995-jul) [10.1109/SBMOMO.1995.509645]. 1-gen-1995 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + -
Efficient sensitivity analysis of III-V devices / DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni. - (1996). (Intervento presentato al convegno 9th III-V Semiconductor Device Simulation Workshop tenutosi a Heeze, The NetherLands nel 9-10 May). 1-gen-1996 DONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FabrizioPIROLA, MarcoGHIONE, GIOVANNI -
General-purpose two-carrier noise simulation of compound semiconductor devices / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - (1996). (Intervento presentato al convegno III-V Semiconductor Device Simulation Workshop tenutosi a Heeze, The Netherlands nel 9-10 May). 1-gen-1996 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI -
Evaluation of the impedance field through several transport models: a comparison / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Houlet, P; Varani, L; Aboubacar, M; Vaissiere, J. C.; Nougier, J. P.; Starikov, E; Gruzhinskis, V; Shiktorov, P.. - (1996), pp. 102-107. (Intervento presentato al convegno Third ELEN Workshop tenutosi a Leuven, Belgium nel 5-7 November). 1-gen-1996 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + -
An efficient physics-based CAD approach to evaluate the sensitivity of GaAs devices with respect to process parameters / Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco; Naldi, C.. - (1996). (Intervento presentato al convegno Gallium Arsenide and Related III-V Compounds Applications Symposium tenutosi a Paris, France nel 5-7 June). 1-gen-1996 BONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + -
A general-purpose efficient approach for two-carrier numerical noise simulation of semiconductor devices / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Pinto, M. R.; Smith, R. K.. - (1996). (Intervento presentato al convegno URSI Genral Assembly tenutosi a Lille, France nel 28 August - 5 September). 1-gen-1996 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + -
Advanced CAD models / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco - In: Pseudomorphic HEMT technology and applications / ROSS; SVENSSON; LUGLI. - AMSTERDAM : Kluwer Academic Publishers: Dordrecht, 1996. - ISBN 9780792339151. - pp. 203-251 1-gen-1996 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco -
Effects of the capacitor on the time delayed Chua's circuit dynamics / Biey, Mario; Bonani, Fabrizio; Gilli, Marco; Maio, I.. - (1996), pp. 447-452. (Intervento presentato al convegno International Workshop on Nonlinear Dynamics of Electronic Systems tenutosi a Sevilla, Spain nel 27-28 June). 1-gen-1996 BIEY, MARIOBONANI, FabrizioGILLI, MARCOMAIO I. -
2D noise modelling of electronic noise in semiconductor devices / Houlet, P; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Varani, L; Aboubacar, M; Vaissiere, J. C.; Nougier, J. P.; Starikov, E; Gruzhinskis, V; Shiktorov, P.. - (1996), pp. 965-968. (Intervento presentato al convegno European Solid State Device Research Conference tenutosi a Bologna, Italy nel 9-11 September). 1-gen-1996 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + -
An efficient numerical approach to the physics-based sensitivity analysis of bipolar semiconductor devices / DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni. - (1996), pp. 287-290. (Intervento presentato al convegno ESSDERC 1996 - European Solid State Device Research Conference tenutosi a Bologna (Italy) nel September 9-11). 1-gen-1996 DONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FabrizioPIROLA, MarcoGHIONE, GIOVANNI -
Influence of the parasitics on the time delayed Chua's circuit / Biey, Mario; Bonani, Fabrizio; Gilli, Marco; Maio, I.. - (1996), pp. 443-446. (Intervento presentato al convegno Mediterranean Electrotechnical Conference tenutosi a Bari, Italy nel May) [10.1109/MELCON.1996.551575]. 1-gen-1996 BIEY, MARIOBONANI, FabrizioGILLI, MARCOMAIO I. -
Physics-based large-signal optimization and statistical analysis of III-V FET's / Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - (1997). (Intervento presentato al convegno X III--V Semiconductor Device Simulation Workshop tenutosi a Torino, Italy nel 16-17 October). 1-gen-1997 BONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco -
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