Metodo e sistema per caratterizzare le temperature di giunzione di diodi di potenza di un inverter a tensione impressa

La presente invenzione riguarda un metodo e un sistema per caratterizzare le temperature di giunzione di diodi di potenza di un inverter a tensione impressa (VSI) secondo il preambolo della rivendicazione 1. In particolare, la presente invenzione descrive un metodo e un sistema per la caratterizzazione di mappe di temperature di giunzione di diodi di potenza collegati in antiparallelo con dispositivi di commutazione a semiconduttore di potenza, come transistor metallo-ossido-semiconduttore ad effetto di campo (MOSFET) o transistor bipolari a gate isolato (IGBT), impiegati in un convertitore di potenza a modulazione di larghezza d'impulso (PWM), e per la stima in tempo reale delle temperature di giunzione utilizzando tali mappe durante il funzionamento del convertitore. A titolo di esempio, la presente invenzione può essere implementata per caratterizzare le mappe di temperatura di diodi di potenza durante una sessione preliminare che precede l'installazione del convertitore in un macchinario industriale o in un veicolo elettrico.