Ottimizzazione del processo di produzione e di caratterizzazione elettrica di dispositivi in grafene

L’obiettivo di questo report è di riassumere i recenti sviluppi che la produzione di dispositivi in grafene ha avuto all’interno dei laboratori INRiM. Lo studio è stato effettuato su grafene di origine commerciale realizzato attraverso la tecnica della Chemical Vapor Deposition (CVD) su rame e poi successivamente trasferito su un supporto isolante (SiO2). Migliorando alcuni aspetti del processo è stato osservato , per la prima volta in istituto su grafene da CVD su rame, il punto di inversione di portatori di carica in dispositivi prodotti nei laboratori del QR e in Nanofacility. Il processo ottimizzato è stato poi testato preliminarmente (i risultati infatti non saranno inseriti in questo resoconto) su campioni prodotti in INRiM tramite CVD su cobalto, lasciando presagire che i risultati non siano dovuti al materiale utilizzato ma al miglioramento del processo. The aim of this report is to summarize the recent developments that the production of graphene devices has had in the INRiM laboratories. The study was carried out on commercial graphene grown by Chemical Vapor Deposition (CVD) on Cu and then transferred on an insulating support (SiO2). The Dirac point has been measured, for the first time in INRiM on CVD grown graphene devices produced in the QR laboratories and in Nanofacility Piemonte. The optimized process was then tested previously (in fact, the results will not be included in this report) on samples produced in INRiM via CVD on Co. As a consequence the results seems not to be due to the material used, but to the improvements of the process.