Archivio Istituzionale della RicercaIl lavoro di tesi presenta l'implementazione di un modello fisico deriva diffusione a doppio portatore per FET a doppio portatore. Effetti di trappoli e backgate sono inclusi. Il programma fornisce le caratteristiche DC e di piccolo segnale a partire dai parametri fisici di FET per alte frequenze.
Studio di modelli fisici per la simulazione di effetti di backgate e dispersione a bassa frequenza in GaAs MESFET / Pirola, Marco. - (1992).
Studio di modelli fisici per la simulazione di effetti di backgate e dispersione a bassa frequenza in GaAs MESFET
PIROLA, Marco
1992
Abstract
Il lavoro di tesi presenta l'implementazione di un modello fisico deriva diffusione a doppio portatore per FET a doppio portatore. Effetti di trappoli e backgate sono inclusi. Il programma fornisce le caratteristiche DC e di piccolo segnale a partire dai parametri fisici di FET per alte frequenze.
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https://hdl.handle.net/11583/2501529
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