Barrier height evolution in a non-uniform interface of Ti or Mo Schottky diodes based on 4H-SiC / Gharbi, R.; Shili, K.; Ben Karoui, M.; Fathallah, M.; Ferrero, S.. - In: INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS. - ISSN 0020-7217. - 4:3(2016), pp. 367-375. [10.1080/00207217.2015.1036799]

Barrier height evolution in a non-uniform interface of Ti or Mo Schottky diodes based on 4H-SiC

Ferrero S.
2016

File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/2750893
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo