We present Rad-Ray, a tool for simulating the passage of heavy ions particles through the silicon matter of modern Integrated Circuits and generating the transient voltage pulse response. Heavy ions radiation campaigns demonstrated comparable results.

Rad-Ray: A new Simulation Tool for the Analysis of Heavy Ions-induced SETs on ICs / Sterpone, Luca; Azimi, Sarah; Du, Boyang; Luoni, Francesca. - ELETTRONICO. - (2019). (Intervento presentato al convegno 30th IEEE Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS 2019)).

Rad-Ray: A new Simulation Tool for the Analysis of Heavy Ions-induced SETs on ICs

Luca Sterpone;Sarah Azimi;Boyang Du;
2019

Abstract

We present Rad-Ray, a tool for simulating the passage of heavy ions particles through the silicon matter of modern Integrated Circuits and generating the transient voltage pulse response. Heavy ions radiation campaigns demonstrated comparable results.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/2748996
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo