Ottimizzazione di diodi PiN e MPS su Silicio per commutazione ad elevata frequenza tramite simulazione fisica mixed-mode / Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio; Furno, M; Ghione, Giovanni; Carta, R; Bellemo, L; Bocchiola, C; Merlin, L.. - (2004). (Intervento presentato al convegno XXXVI riunione annuale GE tenutosi a Courmayeur (AO) nel 24-26 Giugno).

Ottimizzazione di diodi PiN e MPS su Silicio per commutazione ad elevata frequenza tramite simulazione fisica mixed-mode

CAPPELLUTI, Federica;BONANI, Fabrizio;GHIONE, GIOVANNI;
2004

File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/1662687
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo