Structural properties of 3C-SiC layers grown on Si substrates by Electron Cyclotron Resonance CVD Technique / Giorgis, Fabrizio; A., Chiodoni; Cicero, Giancarlo; Ferrero, Sergio; Mandracci, Pietro; Pirri, Candido; G., Barucca; L., Calcagno; G., Foti; P., Musumeci; R., Reitano. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - 640:(2001), pp. 570-596. (Intervento presentato al convegno MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS).

Structural properties of 3C-SiC layers grown on Si substrates by Electron Cyclotron Resonance CVD Technique

GIORGIS, FABRIZIO;CICERO, Giancarlo;FERRERO, SERGIO;MANDRACCI, Pietro;PIRRI, Candido;
2001

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/1661271
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