Optoelectronic properties, defect structure and composition of a-SiC:H films grown in undiluted and H2 diluted silane-methane plasma / A., Desalvo; Giorgis, Fabrizio; Pirri, Candido; Tresso, Elena Maria; R., Galloni; R., Rizzoli; C., Summonte; P., Rava. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 81:(1997), pp. 7973-7980.

Optoelectronic properties, defect structure and composition of a-SiC:H films grown in undiluted and H2 diluted silane-methane plasma

GIORGIS, FABRIZIO;PIRRI, Candido;TRESSO, Elena Maria;
1997

1997
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