Static and dynamic electrical study of a-SiC : H based p-i-n structure, effect of hydrogen dilution of the intrinsic layer / M., Abdelkrim; M., Loulou; R., Gharbi; M., Fathallah; Pirri, Candido; Tresso, Elena Maria. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 51:1(2007), pp. 137-141. [10.1016/j.sse.2006.11.015]
Static and dynamic electrical study of a-SiC : H based p-i-n structure, effect of hydrogen dilution of the intrinsic layer
PIRRI, Candido;TRESSO, Elena Maria
2007
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/11583/1648568
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo