Evaluation of GaN HEMT Technology Development Through Nonlinear Characterization / A., Angelini; Camarchia, Vittorio; Cappelluti, Federica; DONATI GUERRIERI, Simona; Pirola, Marco; Bonani, Fabrizio; A., Serino; Ghione, Giovanni. - STAMPA. - ISPSD 2006:(2006), pp. 105-108. ((Intervento presentato al convegno ISPSD 2006 (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs) tenutosi a Napoli nel June 4-8 2006 [10.1109/ISPSD.2006.1666082].

Evaluation of GaN HEMT Technology Development Through Nonlinear Characterization

CAMARCHIA, VITTORIO;CAPPELLUTI, Federica;DONATI GUERRIERI, Simona;PIROLA, Marco;BONANI, Fabrizio;GHIONE, GIOVANNI
2006

9780780397149
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