GOANO, MICHELE

GOANO, MICHELE  

Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni  

002202  

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AlGaAs Tunnel Junction (TJ)-VCSELs: A NEGF-Drift-Diffusion Approach / Gullino, Alberto; Torrelli, Valerio; D'Alessandro, Martino; Tibaldi, Alberto; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Debernardi, Pierluigi. - In: IEEE PHOTONICS JOURNAL. - ISSN 1943-0655. - ELETTRONICO. - 16:2(2024), pp. 1-9. [10.1109/jphot.2024.3360897] 1-gen-2024 Torrelli, ValerioD'Alessandro, MartinoTibaldi, AlbertoBertazzi, FrancescoGoano, Michele + 2024Gullino_PJ - AlGaAs Tunnel Junction (TJ)-VCSELs.pdf
Exploring Optimal Dark Current Design in HgCdTe Infrared Barrier Detectors: A TCAD and Semianalytic Investigation / Vallone, Marco; Alasio, Matteo; Tibaldi, Alberto; Bertazzi, Francesco; Hanna, Stefan; Wegmann, Anne; Eich, Detlef; Figgemeier, Heinrich; Ghione, Giovanni; Goano, Michele. - In: IEEE PHOTONICS JOURNAL. - ISSN 1943-0655. - ELETTRONICO. - 16:1(2024), pp. 1-8. [10.1109/jphot.2023.3345544] 1-gen-2024 Vallone, MarcoAlasio, MatteoTibaldi, AlbertoBertazzi, FrancescoGhione, GiovanniGoano, Michele + 2024Vallone_PJ - Exploring Optimal Dark Current Design in HgCdTe.pdf
High-Power Emission via Large-Area VCSELs With Single High-Order Mode Operation / Torrelli, Valerio; Gullino, Alberto; Tibaldi, Alberto; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Debernardi, Pierluigi. - In: IEEE PHOTONICS JOURNAL. - ISSN 1943-0655. - ELETTRONICO. - 16:2(2024), pp. 1-7. [10.1109/jphot.2024.3360992] 1-gen-2024 Torrelli, ValerioTibaldi, AlbertoBertazzi, FrancescoGoano, Michele + 2024Torrelli_PJ - High-Power Emission via Large-Area VCSELs.pdf
Analytical model of the Ultrabroadband Operation of Transverse-Coupled-Cavity VCSELs / Torrelli, Valerio; D’Alessandro, Martino; Miri, Lorenzo; Debernardi, Pierluigi; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Gioannini, Mariangela; Tibaldi, Alberto. - ELETTRONICO. - (2023), pp. 87-88. (Intervento presentato al convegno 23rd International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2023) tenutosi a Turin, Italy nel 18 - 21 September 2023) [10.1109/NUSOD59562.2023.10273476]. 1-gen-2023 Torrelli, ValerioD’Alessandro, MartinoMiri, LorenzoBertazzi, FrancescoGoano, MicheleGioannini, MariangelaTibaldi, Alberto + 2023Torrelli_NUSOD.1.PostPrint.pdf2023Torrelli_NUSOD.1 - Analytical model of the Ultrabroadband Operation.pdf
Different approximations for carriers lifetimes in HgCdTe quasi-neutral regions / Vallone, M.; Alasio, M. G. C.; Tibaldi, A.; Bertazzi, F.; Hanna, S.; Eich, D.; Wegmann, A.; Figgemeier, H.; Ghione, Giovanni.; Goano, M.. - ELETTRONICO. - (2023), pp. 25-26. (Intervento presentato al convegno 23rd International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2023) tenutosi a Turin, Italy nel 18 - 21 September 2023) [10.1109/NUSOD59562.2023.10273472]. 1-gen-2023 Vallone, M.Alasio, M. G. C.Tibaldi, A.Bertazzi, F.Ghione, Giovanni.Goano, M. + 2023Vallone_NUSOD.PostPrint.pdf2023Vallone_NUSOD - Different approximations for carriers lifetimes.pdf
III-N optoelectronic devices: understanding the physics of electro-optical degradation / Meneghini, Matteo; Roccato, Nicola; Piva, Francesco; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Haller, Camille; Carlin, Jean-François; Grandjean, Nicolas; Tibaldi, Alberto; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Verzellesi, Giovanni; Wernicke, Tim; Kneissl, Michael; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico. - ELETTRONICO. - 12441:(2023), pp. 1-6. (Intervento presentato al convegno SPIE Photonics West OPTO 2023 tenutosi a San Francisco, California nel 31 gennaio 2023 - 2 febbraio 2023) [10.1117/12.2649909]. 1-gen-2023 Tibaldi, AlbertoBertazzi, FrancescoGoano, Michele + 2023Meneghini_SPIE - III-N optoelectronic devices.pdf2023Meneghini_SPIE.PostPrint - III-N optoelectronic devices.pdf
Modeling of single-mode high-power VCSEL arrays / Torrelli, Valerio; Tibaldi, Alberto; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Debernardi, Pierluigi. - ELETTRONICO. - (2023), pp. 93-94. (Intervento presentato al convegno 23rd International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2023) tenutosi a Turin, Italy nel 18 - 21 September 2023) [10.1109/NUSOD59562.2023.10273517]. 1-gen-2023 Torrelli, ValerioTibaldi, AlbertoBertazzi, FrancescoGoano, Michele + 2023Torrelli_NUSOD.2.PostPrint.pdf2023Torrelli_NUSOD.2 - Modeling of single-mode high-power VCSEL arrays.pdf
Modeling the effects of graded and abrupt mole fraction profiles in pBn and nBn HgCdTe barrier detectors / Alasio, Matteo; Vallone, Marco; Molino, Paolo; Errico, Luca; Hanna, Stefan; Figgemeier, Heinrich; Tibaldi, Alberto; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni; Goano, Michele. - ELETTRONICO. - 12687:(2023), pp. 1-5. (Intervento presentato al convegno SPIE Optical Engineering + Applications tenutosi a San Diego (USA) nel 20 - 24 August 2023) [10.1117/12.2682206]. 1-gen-2023 Alasio, MatteoVallone, MarcoTibaldi, AlbertoBertazzi, FrancescoGhione, GiovanniGoano, Michele + 2023Alasio_SPIE - Modeling the effects of graded and abrupt mole fraction.pdf
Modeling the electronic transport in FinFET-like lateral Ge-on-Si pin waveguide photodetectors for ultra-wide bandwidth applications / Alasio, Matteo; Zhu, Mike; Fronteddu, Antonio; Cardinale, Alessandro; Ballarati, Andrea; Bellotti, Enrico; Ghione, Giovanni; Tibaldi, Alberto; Bertazzi, Francesco; Vallone, Marco; Goano, Michele. - ELETTRONICO. - (2023), pp. 107-108. (Intervento presentato al convegno 23rd International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2023) tenutosi a Turin, Italy nel 18 - 21 September 2023) [10.1109/NUSOD59562.2023.10273560]. 1-gen-2023 Alasio, MatteoGhione, GiovanniTibaldi, AlbertoBertazzi, FrancescoVallone, MarcoGoano, Michele + 2023Alasio_NUSOD.PostPrint.pdf2023Alasio_NUSOD - Modeling the electronic transport in FinFET-like.pdf
Multiscale and Multiphysics Solvers for AlGaAs TJ-VCSEL / Gullino, Alberto; Tibaldi, Alberto; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Debernardi, Pierluigi. - STAMPA. - 1005:(2023), pp. 190-195. (Intervento presentato al convegno 53rd Annual Meeting of the Italian Electronics Society tenutosi a Pizzo Calabro nel 7-9 Settembre 2022) [10.1007/978-3-031-26066-7_30]. 1-gen-2023 Gullino, AlbertoTibaldi, AlbertoBertazzi, FrancescoGoano, Michele + 2022Gullino_LNEE_SIE - Multiscale and multiphysics solvers for AlGaAs TJ-VCSELs.pdf2022Gullino_LNEE_SIE.Postprint.pdf
Optical Power Screening Effects in Ge-on-Si Vertical Pin Photodetectors / Alasio, Matteo; Franco, Paolo; Tibaldi, Alberto; Bertazzi, Francesco; Namnabat, Soha; Adams, Donald; Gothoskar, Prakash; Masini, Gianlorenzo; Forghieri, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Goano, Michele. - STAMPA. - 1005:(2023), pp. 155-159. (Intervento presentato al convegno 53rd Annual Meeting of the Italian Electronics Society tenutosi a Pizzo Calabro nel 7-9 Settembre 2022) [10.1007/978-3-031-26066-7_24]. 1-gen-2023 Alasio, MatteoTibaldi, AlbertoBertazzi, FrancescoGhione, GiovanniGoano, Michele + 2022Alasio_LNEE_SIE - Optical power screening effects.pdf2022Alasio_LNEE_SIE.Postprint.pdf
Physics-based modeling of AlGaAs tunnel junction VCSELs: a comparative appraisal / Gullino, Alberto; Torrelli, Valerio; D’Alessandro, Martino; Tibaldi, Alberto; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Debernardi, Pierluigi. - ELETTRONICO. - (2023), pp. 99-100. (Intervento presentato al convegno 23rd International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2023) tenutosi a Turin, Italy nel 18 - 21 September 2023) [10.1109/NUSOD59562.2023.10273507]. 1-gen-2023 Torrelli, ValerioD’Alessandro, MartinoTibaldi, AlbertoBertazzi, FrancescoGoano, Michele + 2023Gullino_NUSOD.PostPrint.pdf2023Gullino_NUSOD - Physics-based modeling of AlGaAs tunnel junction.pdf
Small-Signal Modeling of Dissipative Carrier Transport in Nanodevices with Nonequilibrium Green’s Functions / Tibaldi, Alberto; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco. - In: PHYSICAL REVIEW APPLIED. - ISSN 2331-7019. - STAMPA. - 19:6(2023). [10.1103/PhysRevApplied.19.064020] 1-gen-2023 Alberto TibaldiMichele GoanoFrancesco Bertazzi 2023Tibaldi_PRAPP - Small-signal modeling of dissipative carrier.pdf
Subthreshold characteristics of GaN-based LEDs: trap-assisted tunneling and coupled defects / Mercinelli, Francesco; Tibaldi, Alberto; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco. - ELETTRONICO. - (2023), pp. 85-86. (Intervento presentato al convegno 23rd International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2023) tenutosi a Turin, Italy nel 18 - 21 September 2023) [10.1109/NUSOD59562.2023.10273542]. 1-gen-2023 Francesco MercinelliAlberto TibaldiMichele GoanoFrancesco Bertazzi 2023Mercinelli_NUSOD.PostPrint.pdf2023Mercinelli_NUSOD - Subthreshold characteristics of GaN-based LEDs.pdf
3D multiphysics transient modeling of vertical Ge-on-Si pin waveguide photodetectors / Alasio, Matteo; Franco, Paolo; Tibaldi, Alberto; Bertazzi, Francesco; Namnabat, Soha; Adams, Donald; Gothoskar, Prakash; Masini, Gianlorenzo; Forghieri, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Goano, Michele. - ELETTRONICO. - 2022 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD):(2022), pp. 5-6. (Intervento presentato al convegno 2022 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD) tenutosi a Torino, Italia nel 12-16 settembre 2022) [10.1109/NUSOD54938.2022.9894739]. 1-gen-2022 Alasio, MatteoTibaldi, AlbertoBertazzi, FrancescoGhione, GiovanniGoano, Michele + 2022Alasio_NUSOD.POSTPRINT.pdf2022Alasio_NUSOD - 3D multiphysics transient modeling of vertical.pdf
Analysis and Design of Plasmonic-Organic Hybrid Electro-Optic Modulators Based on Directional Couplers / Tibaldi, A.; Ghomashi, M.; Bertazzi, F.; Vallone, M.; Goano, M.; Ghione, G.. - In: IEEE PHOTONICS JOURNAL. - ISSN 1943-0655. - ELETTRONICO. - 14:2(2022), p. 3015011. [10.1109/JPHOT.2022.3147687] 1-gen-2022 Tibaldi A.Ghomashi M.Bertazzi F.Vallone M.Goano M.Ghione G. 2022Tibaldi_PJ - Analysis and design of POH EOM DCs.pdf
Anisotropic Transverse Confinement Design for Electrically Pumped 850 nm VCSELs Tuned by an Intra Cavity Liquid-Crystal Cell / Debernardi, Pierluigi; Simaz, Andrea; Tibaldi, Alberto; Boisnard, Benjamin; Camps, Thierry; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Reig, Benjamin; Doucet, Jean-Baptiste; Bardinal, Veronique. - In: IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS. - ISSN 1077-260X. - STAMPA. - 28:1(2022), pp. 1-11. [10.1109/JSTQE.2021.3089897] 1-gen-2022 Tibaldi, AlbertoBertazzi, FrancescoGoano, Michele + 2021Debernardi_JSTQE_20210505b.pdf2021Debernardi_JSTQE.pdf
Deep defects in InGaN LEDs: modeling the impact on the electrical characteristics / Roccato, Nicola; Piva, Francesco; De Santi, Carlo; Brescancin, Riccardo; Mukherjee, Kalparupa; Buffolo, Matteo; Haller, Camille; Carlin, Jean-Francois; Grandjean, Nicolas; Vallone, Marco; Tibaldi, Alberto; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Verzellesi, Giovanni; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo. - ELETTRONICO. - 12001:(2022), p. 120010. (Intervento presentato al convegno SPIE Photonics West 2022 tenutosi a San Francisco nel 22 - 27 gennaio 2022) [10.1117/12.2606560]. 1-gen-2022 Vallone, MarcoTibaldi, AlbertoBertazzi, FrancescoGoano, Michele + 2022Roccato_SPIE - Deep defects in InGaN LEDs.pdf
Defects in III-N LEDs: experimental identification and impact on electro-optical characteristics / Buffolo, Matteo; Roccato, Nicola; Piva, Francesco; De Santi, Carlo; Brescancin, Riccardo; Casu, Claudia; Caria, Alessandro; Mukherjee, Kalparupa; Haller, Camille; Carlin, Jean Francois; Grandjean, Nicolas; Vallone, Marco; Tibaldi, Alberto; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Verzellesi, Giovanni; Mosca, Mauro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo. - ELETTRONICO. - 12022:(2022), p. 120220G. (Intervento presentato al convegno SPIE Photonics West 2022 tenutosi a San Francisco nel 22-27 gennaio 2022) [10.1117/12.2606599]. 1-gen-2022 Vallone, MarcoTibaldi, AlbertoBertazzi, FrancescoGoano, Michele + 2022Buffolo_SPIE - Defects in III-N LEDs.pdf
Modeling carrier transport in mid-infrared VCSELs with type-II superlattices and tunnel junctions / Torrelli, Valerio; Montoya, Jesus Alberto Gonzalez; Tibaldi, Alberto; Debernardi, Pierluigi; Simaz, Andrea; Belkin, Mikhail A.; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco. - ELETTRONICO. - 2022 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD):(2022), pp. 55-56. (Intervento presentato al convegno 2022 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD) tenutosi a Torino, Italia nel 12-16 settembre 2022) [10.1109/NUSOD54938.2022.9894782]. 1-gen-2022 Torrelli, ValerioMontoya, Jesus Alberto GonzalezTibaldi, AlbertoGoano, MicheleBertazzi, Francesco + 2022Torrelli_NUSOD.POSTPRINT.pdf2022Torrelli_NUSOD - Modeling carrier transport in mid-infrared VCSELs.pdf