PIROLA, Marco
PIROLA, Marco
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
002019
Physical simulation of ion-implanted MESFET's on semi insulating and p-type substrates
1989 A., Benvenuti; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni; C., Naldi
An extended majority-carrier approach for the DC and small-signal simulation of ion-implanted MESFET's on compensated and p-type substrates
1990 Benvenuti, A; Ghione, Giovanni; Naldi, C; Pirola, Marco
Physical simulation: a tool for technological evaluation of GaAs MESFET devices
1990 Benvenuti, A; Cetronio, A; Ghione, Giovanni; Liberati, ; Pirola, Marco; Naldi, C.
Physical simulation of small-signal rate-dependent anomalies in GaAs MESFET's: a two-dimensional frequency-domain approach
1991 Ghione, Giovanni; Naldi, C; Pirola, Marco
The impact ionization phenomena in GaAs MESFETs: experimental results and simulations
1991 Neviani, A; Naldi, C; Pirola, Marco; Tedesco, C; Zanoni, E.
Physical simulation of low-frequency dispersion of the small-signal parameters in GaAs FETs
1991 Ghione, Giovanni; C., Naldi; Pirola, Marco
Physics-based analysis of the low-frequency dispersion of the small-signal parameters in GaAs MESFET’s
1991 Ghione, Giovanni; C. U., Naldi; Pirola, Marco
Physics-based two-dimensional numerical noise modelling of GaAs FETs: discussion and experimental validation
1991 Ghione, Giovanni; Pirola, Marco
Studio di modelli fisici per la simulazione di effetti di backgate e dispersione a bassa frequenza in GaAs MESFET
1992 Pirola, Marco
Self-aligned proton implantation GaAs MESFET devices
1992 A., Carnera; A., Cetronio; P., Deustacchio; A., Gasparotto; Ghione, Giovanni; Peroni, E; Pirola, Marco
Studio di modelli fisici per la simulazione di effetti di backgate e dispersione a bassa frequenza in GaAs MESFET
1992 Pirola, Marco
A Cad-Oriented Physics-Based Two-Dimensional Gaas Fet Noise Model for Mmic DesignAMPC Asia-Pacific Microwave Conference,
1992 Ghione, Giovanni; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; C. U., Naldi
Simulazione fisica della dispersione di bassa frequenza dei parametri di piccolo segnale di MESFET su GaAs
1992 Ghione, Giovanni; Pirola, Marco
A small-signal and noise model for the physics-based design and optimization of GaAs MESFET’s for hybrid and monolithic MIC’s
1992 Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; C., Naldi; T., Sporkmann; Pirola, Marco
A CAD-oriented physics-based two-dimensional GaAs FET noise model for MMIC design
1992 Ghione, Giovanni; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; C., Naldi
A new, efficient approach to the large-scale thermal modelling of III-V devices and integrated circuits
1993 Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco; Naldi, C. U.
Modello non lineare di diodo a microonde basato sulle misure, e relativo sistema di acquisizione automatica dei dati
1993 Ghione, Giovanni; Pirola, Marco
Temperature dependence of deep-level dynamics and its impact on nonlinear models
1993 Ferrero, ANDREA PIERENRICO; Perrone, Guido; Pirola, Marco; F., Sanpietro
A new measurement based non-linear diode model and automated data acquisition system
1993 A., Cognata; S., Fan; Pirola, Marco; Root, D.
Correlation between the high field diffusivity and the current fluctuation spectra in GaAs FET’s
1993 Ghione, Giovanni; Pirola, Marco; Bonani, Fabrizio
Citazione | Data di pubblicazione | Autori | File |
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Physical simulation of ion-implanted MESFET's on semi insulating and p-type substrates / A., Benvenuti; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni; C., Naldi. - (1989). (Intervento presentato al convegno V Meeting of the GaAs Simulation Group tenutosi a Torino, Italy nel October). | 1-gen-1989 | PIROLA, MarcoGHIONE, GIOVANNI + | - |
An extended majority-carrier approach for the DC and small-signal simulation of ion-implanted MESFET's on compensated and p-type substrates / Benvenuti, A; Ghione, Giovanni; Naldi, C; Pirola, Marco. - In: EUROPEAN TRANSACTIONS ON TELECOMMUNICATIONS AND RELATED TECHNOLOGIES. - ISSN 1120-3862. - (1990), pp. 41-49. | 1-gen-1990 | GHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + | - |
Physical simulation: a tool for technological evaluation of GaAs MESFET devices / Benvenuti, A; Cetronio, A; Ghione, Giovanni; Liberati, ; Pirola, Marco; Naldi, C.. - (1990), pp. 96-101. (Intervento presentato al convegno GAAS90 tenutosi a Roma, Italy nel April). | 1-gen-1990 | GHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + | - |
Physical simulation of small-signal rate-dependent anomalies in GaAs MESFET's: a two-dimensional frequency-domain approach / Ghione, Giovanni; Naldi, C; Pirola, Marco. - (1991), pp. 71-80. (Intervento presentato al convegno IV SISDEP 1991 tenutosi a Zurich, Switzerland nel 12-14 September). | 1-gen-1991 | GHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + | - |
The impact ionization phenomena in GaAs MESFETs: experimental results and simulations / Neviani, A; Naldi, C; Pirola, Marco; Tedesco, C; Zanoni, E.. - (1991). (Intervento presentato al convegno 18 International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds tenutosi a Seattle, USA nel 9-12 September). | 1-gen-1991 | PIROLA, Marco + | - |
Physical simulation of low-frequency dispersion of the small-signal parameters in GaAs FETs / Ghione, Giovanni; C., Naldi; Pirola, Marco. - (1991). (Intervento presentato al convegno 6th Meeting of the GaAs Simulation Group, III-V Device Simulation Workshop tenutosi a Lille, France nel October). | 1-gen-1991 | GHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + | - |
Physics-based analysis of the low-frequency dispersion of the small-signal parameters in GaAs MESFET’s / Ghione, Giovanni; C. U., Naldi; Pirola, Marco. - (1991), pp. 609-612. (Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Desearch Symposium tenutosi a Charlotesville, USA nel 4-6 December). | 1-gen-1991 | GHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + | - |
Physics-based two-dimensional numerical noise modelling of GaAs FETs: discussion and experimental validation / Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - (1991), pp. 617-620. (Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Research Symposium tenutosi a Charlottesville, USA nel 4-6 December). | 1-gen-1991 | GHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco | - |
Studio di modelli fisici per la simulazione di effetti di backgate e dispersione a bassa frequenza in GaAs MESFET / Pirola, Marco. - (1992). | 1-gen-1992 | PIROLA, Marco | - |
Self-aligned proton implantation GaAs MESFET devices / A., Carnera; A., Cetronio; P., Deustacchio; A., Gasparotto; Ghione, Giovanni; Peroni, E; Pirola, Marco. - (1992). (Intervento presentato al convegno European Gallium Arsenide and Related Compounds Application Symposium tenutosi a Noordwijk, The NetherLands nel April). | 1-gen-1992 | GHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + | - |
Studio di modelli fisici per la simulazione di effetti di backgate e dispersione a bassa frequenza in GaAs MESFET / Pirola, Marco. - 1:(1992). | 1-gen-1992 | PIROLA, Marco | - |
A Cad-Oriented Physics-Based Two-Dimensional Gaas Fet Noise Model for Mmic DesignAMPC Asia-Pacific Microwave Conference, / Ghione, Giovanni; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; C. U., Naldi. - 2:(1992), pp. 647-650. (Intervento presentato al convegno AMPC Asia-Pacific Microwave Conference, tenutosi a Adelaide nel Aug. 1992) [10.1109/APMC.1992.672186]. | 1-gen-1992 | GHIONE, GIOVANNIBONANI, FabrizioPIROLA, Marco + | - |
Simulazione fisica della dispersione di bassa frequenza dei parametri di piccolo segnale di MESFET su GaAs / Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - (1992). (Intervento presentato al convegno XXIV Riunione CCTE tenutosi a Circeo, Italy nel 20-23 June). | 1-gen-1992 | GHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco | - |
A small-signal and noise model for the physics-based design and optimization of GaAs MESFET’s for hybrid and monolithic MIC’s / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; C., Naldi; T., Sporkmann; Pirola, Marco. - (1992), pp. 27-29. (Intervento presentato al convegno European Gallium Arsenide and Related Compounds Application Symposium tenutosi a Noordwijk, The Netherlands nel April). | 1-gen-1992 | BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + | - |
A CAD-oriented physics-based two-dimensional GaAs FET noise model for MMIC design / Ghione, Giovanni; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; C., Naldi. - 2:(1992), pp. 647-650. (Intervento presentato al convegno Asian Pacific Microwave Conference tenutosi a Adelaide, Australia nel August). | 1-gen-1992 | GHIONE, GIOVANNIBONANI, FabrizioPIROLA, Marco + | - |
A new, efficient approach to the large-scale thermal modelling of III-V devices and integrated circuits / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco; Naldi, C. U.. - (1993), pp. 101-104. (Intervento presentato al convegno International Electron Devices Meeting tenutosi a Washington, USA nel 5-8 December) [10.1109/IEDM.1993.347389]. | 1-gen-1993 | BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + | - |
Modello non lineare di diodo a microonde basato sulle misure, e relativo sistema di acquisizione automatica dei dati / Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - (1993). (Intervento presentato al convegno XXV Riunione CCTE tenutosi a Venezia, Italy nel 20-23 June). | 1-gen-1993 | GHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco | - |
Temperature dependence of deep-level dynamics and its impact on nonlinear models / Ferrero, ANDREA PIERENRICO; Perrone, Guido; Pirola, Marco; F., Sanpietro. - (1993), pp. 117-120. (Intervento presentato al convegno 4th International Symposium on Recent Advances in Microwave Technology tenutosi a New-Delhi (IND) nel 15-17 December 2008). | 1-gen-1993 | FERRERO, ANDREA PIERENRICOPERRONE, GuidoPIROLA, Marco + | - |
A new measurement based non-linear diode model and automated data acquisition system / A., Cognata; S., Fan; Pirola, Marco; Root, D.. - (1993). (Intervento presentato al convegno 4th International Workshop on GaAs in Telecommunication tenutosi a Milano, Italy nel 20-21 April). | 1-gen-1993 | PIROLA, Marco + | - |
Correlation between the high field diffusivity and the current fluctuation spectra in GaAs FET’s / Ghione, Giovanni; Pirola, Marco; Bonani, Fabrizio. - (1993). (Intervento presentato al convegno 7th GaAs Simulation Group Meeting tenutosi a Harrogate, UK nel 22-23 April). | 1-gen-1993 | GHIONE, GIOVANNIPIROLA, MarcoBONANI, Fabrizio | - |