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The key impact of incorporated Al2O3barrier layer on W-based ReRAM switching performance / Shahrabi, Elmira; Giovinazzo, Cecilia; Sandrini, Jury; Leblebici, Yusuf. - (2018), pp. 69-72. (Intervento presentato al convegno 14th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics, PRIME 2018 tenutosi a cze nel 2018) [10.1109/PRIME.2018.8430371]. 1-gen-2018 GIOVINAZZO, CECILIASANDRINI, JURY + -
Analog Control of Retainable Resistance Multistates in HfO2 Resistive-Switching Random Access Memories (ReRAMs) / Giovinazzo, Cecilia; Sandrini, Jury; Shahrabi, Elmira; Celik, Oguz Tolga; Leblebici, Yusuf; Ricciardi, Carlo. - In: ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS. - ISSN 2637-6113. - ELETTRONICO. - 1:6(2019), pp. 900-909. [10.1021/acsaelm.9b00094] 1-gen-2019 Giovinazzo, CeciliaSandrini, JuryRicciardi, Carlo + 2019_Cecilia_HfOx_ACSaelm.pdf
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