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Efficient sensitivity analysis of III-V devices / DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni. - (1996). (Intervento presentato al convegno 9th III-V Semiconductor Device Simulation Workshop tenutosi a Heeze, The NetherLands nel 9-10 May). 1-gen-1996 DONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FabrizioPIROLA, MarcoGHIONE, GIOVANNI -
An efficient physics-based CAD approach to evaluate the sensitivity of GaAs devices with respect to process parameters / Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco; Naldi, C.. - (1996). (Intervento presentato al convegno Gallium Arsenide and Related III-V Compounds Applications Symposium tenutosi a Paris, France nel 5-7 June). 1-gen-1996 BONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + -
An efficient numerical approach to the physics-based sensitivity analysis of bipolar semiconductor devices / DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni. - (1996), pp. 287-290. (Intervento presentato al convegno ESSDERC 1996 - European Solid State Device Research Conference tenutosi a Bologna (Italy) nel September 9-11). 1-gen-1996 DONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FabrizioPIROLA, MarcoGHIONE, GIOVANNI -
Physics-based large-signal optimization and statistical analysis of III-V FET's / Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - (1997). (Intervento presentato al convegno X III--V Semiconductor Device Simulation Workshop tenutosi a Torino, Italy nel 16-17 October). 1-gen-1997 BONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco -
Physics-based modelling and optimization of microwave devices in large-signal operation / Ghione, Giovanni; DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco. - Workshop WMC:(1997). (Intervento presentato al convegno IEEE Microwave Theory and Techniques Symposium tenutosi a Denver (CO), USA nel june 8-13). 1-gen-1997 GHIONE, GIOVANNIDONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FabrizioPIROLA, Marco -
Analisi statistica e ottimizzazione di dispositivi MESFET per microonde / DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni; Naldi, C. U.. - (1997). (Intervento presentato al convegno XXIX riunione annuale GE tenutosi a Gallipoli (BA), Italy nel 16-19 Giugno). 1-gen-1997 DONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FabrizioPIROLA, MarcoGHIONE, GIOVANNI + -
A novel approach to yield estimate and IMP performance optimization of microwave devices / DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni; F., Filicori. - (1997), pp. 153-156. (Intervento presentato al convegno 5th Gallium Arsenide and Related III-V Compunds Applications Symposium tenutosi a Bologna (Italy) nel 3-5 September 1997). 1-gen-1997 DONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FabrizioPIROLA, MarcoGHIONE, GIOVANNI + -
Physics-based large-signal sensitivity analysis of microwave circuits using technological parametric sensitivity from multidimensional semiconductor device models / Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Filicori, F; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - In: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES. - ISSN 0018-9480. - 45:(1997), pp. 846-855. [10.1109/22.575609] 1-gen-1997 BONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + TMTT 97.pdf
Effects of implanted carbon-buried p-layer on the performance of multifunction self-aligned-gate (MSAG) GaAs MESFET's / Fumi, F; Peroni, M; Lanzieri, C; DONATI GUERRIERI, Simona; Pirola, Marco; Bonani, Fabrizio; Naldi, C. U.. - (1997), pp. 187-190. (Intervento presentato al convegno 5th Gallium Arsenide and Related III-V Compunds Applications Symposium tenutosi a Bologna, Italy nel 3-5 September). 1-gen-1997 DONATI GUERRIERI, SimonaPIROLA, MarcoBONANI, Fabrizio + -
A new approach to the physics-based noise analysis of semiconductor devices operating in large signal, (quasi) periodic regime / Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - (1997), pp. 321-324. (Intervento presentato al convegno International Electron Devices Meeting tenutosi a Washington, USA nel 7-10 December). 1-gen-1997 BONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco -
A general framework for the noise analysis of semiconductor devices operating in nonlinear (large-signal quasi-periodic) conditions / Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; DONATI GUERRIERI, Simona; Varani, L; Reggiani, L.. - (1997), pp. 144-147. (Intervento presentato al convegno 14th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations tenutosi a Leuven, Belgium nel 14-18 July). 1-gen-1997 BONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNIDONATI GUERRIERI, Simona + -
Sensitivity-based optimization and statistical analysis of microwave semiconductor devices through multidimensional physical simulation (invited article) / DONATI GUERRIERI, Simona; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni. - In: INTERNATIONAL JOURNAL OF MICROWAVE AND MILLIMETER-WAVE COMPUTER-AIDED ENGINEERING. - ISSN 1050-1827. - 7:(1997), pp. 129-143. [10.1002/(SICI)1522-6301(199701)7:1<129::AID-MMCE9>3.0.CO;2-Q] 1-gen-1997 DONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FabrizioPIROLA, MarcoGHIONE, GIOVANNI -
Algorithms for the physics-based numerical noise simulation of semiconductor devices operated in large-signal conditions / Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - (1998). (Intervento presentato al convegno IV Congresso Nazionale della Societa' di Matematica Applicata e Industriale tenutosi a Giardini Naxos (Me), Italy nel 1-5 June). 1-gen-1998 BONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco -
Physics-based RF noise modeling of submicron MOSFETs / DONATI GUERRIERI, Simona; Alam, M. A.; Krisch, K. S.; Martin, S; Pinto, M. R.; Vuong, H. H.; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni. - (1998), pp. 81-84. (Intervento presentato al convegno International Electron Devices Meeting tenutosi a San Francisco, USA nel 6-9 December) [10.1109/IEDM.1998.746282]. 1-gen-1998 DONATI GUERRIERI, SimonaBONANI, FabrizioGHIONE, GIOVANNI + -
A unified, CAD-orientedapproach for the physics-based large-signal conversion and noise modelling of microwave and mm-wave semiconductor devices / Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - (1998), pp. 341-344. (Intervento presentato al convegno 6th Gallium Arsenide and Related III-V Compunds Applications Symposium tenutosi a Amsterdam, The Netherlands nel 5-9 October). 1-gen-1998 BONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco -
CAD-oriented, physics-based large- and small-signal noise analysis of bipolar semiconductor devices / Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco. - (1998), pp. 163-166. (Intervento presentato al convegno 10th International Symposium on Ultrafast Phenomena in Semiconductors tenutosi a Vilnius, Lithuania nel 31 August - 2 September). 1-gen-1998 BONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco -
Thermal design and stability analysis of AlGaAs/GaAs power HBTs: a dynamic electro-thermal approach / Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Ghione, Giovanni; Naldi, C; Peroni, M; Cetronio, A; Graffitti, R.. - (2000). (Intervento presentato al convegno XII III--V Semiconductor Device Simulation Workshop tenutosi a Duisburg, Germany nel October 9-11). 1-gen-2000 CAPPELLUTI, FedericaBONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNI + -
Large-Signal Modeling of Power HFETs for K-Ka band applications / P., Bianco; DONATI GUERRIERI, Simona; A., Ferrero; Ghione, Giovanni; Pirola, Marco; C. U., Naldi; A., Cetronio; M., Calori; C., Lanzieri; M., Peroni. - GAAS 2000:(2000), pp. 136-139. (Intervento presentato al convegno Gallium Arsenide and related II-V Compounds Application Symposium tenutosi a Paris, France nel 2-3 Oct. 2000). 1-gen-2000 DONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNIPIROLA, Marco + -
Impact of Substrate Resistance on Drain Current Noise in MOSFETs / Goo, J. S.; DONATI GUERRIERI, Simona; Choi, C. H.; Yu, Z; Lee, H; Dutton, R. W.. - (2001), p. 182. (Intervento presentato al convegno INT. CONF. ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD)). 1-gen-2001 DONATI GUERRIERI, Simona + -
Simulazione Elettro-termica Autoconsistente di HBT di Potenza in Regime di Ampio Segnale / Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio; DONATI GUERRIERI, Simona; Naldi, C. U.; Ghione, Giovanni; Peroni, M; Cetronio, A; Graffitti, R.. - (2001). (Intervento presentato al convegno XXXIII riunione annuale GE tenutosi a Mondello (Pa) nel 13-16 Giugno). 1-gen-2001 CAPPELLUTI, FedericaBONANI, FabrizioDONATI GUERRIERI, SimonaGHIONE, GIOVANNI + -
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