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Barrier inhomogeneities of a medium size Mo/4H-SiC Schottky diode / Zaman M. Y.; Perrone D.; Ferrero S.; Scaltrito L.; Naretto M.. - 711:(2012), pp. 188-192. [10.4028/www.scientific.net/MSF.711.188] 1-gen-2012 ZAMAN, MUHAMMAD YOUSUFPERRONE, DENISFERRERO, SERGIOSCALTRITO, LUCIANONARETTO, MARCO -
Evaluation of correct value of Richardson's constant by analyzing the electrical behavior of three different diodes at different temperatures / Zaman M. Y.; Perrone D.; Ferrero S.; Scaltrito L.; Naretto M.. - 711:(2012), pp. 174-178. [10.4028/www.scientific.net/MSF.711.174] 1-gen-2012 ZAMAN, MUHAMMAD YOUSUFPERRONE, DENISFERRERO, SERGIOSCALTRITO, LUCIANONARETTO, MARCO -
Modeling and Characterization of Metal/SiC Interface for Power Device Application / Zaman, MUHAMMAD YOUSUF. - STAMPA. - (2013). [10.6092/polito/porto/2506104] 1-gen-2013 ZAMAN, MUHAMMAD YOUSUF Muhammad Yousuf Zaman.pdf
Fabrication of Ni/Ti/Al Schottky contact to n-type 4H-SiC under various annealing conditions / Zaman, MUHAMMAD YOUSUF; Ferrero, Sergio; Perrone, Denis; Scaltrito, Luciano; Shahzad, Nadia; Pugliese, Diego. - In: JOURNAL OF PHYSICS. CONFERENCE SERIES. - ISSN 1742-6588. - 439:(2013). [10.1088/1742-6596/439/1/012027] 1-gen-2013 ZAMAN, MUHAMMAD YOUSUFFERRERO, SERGIOPERRONE, DENISSCALTRITO, LUCIANOSHAHZAD, NADIAPUGLIESE, DIEGO -
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